半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

DISPOSAL OF THE DOPING DENSITYIN SIMULATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

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摘要讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Ｆｏｒｔｒａｎ与Ｍａｔｌａｂ两种计算，指出利用Ｍａｔｌａｂ可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。 The method to deal with doping density for t he simulation of semiconductor devices was discussed.Compared with Fortran90,it can avoid complicated program by using Matlab,and it was very convenient for t he parameter's adjustment.

作者郭杰荣余稳

机构地区常德师范学院电子学研究所

出处《常德师范学院学报（自然科学版）》 2001年第4期16-18,共3页 Journal of Changde Teachers University

基金湖南省自然科学基金资助项目(00JJY2009) 常德师范学院科研基金资助项目(JJ0124)

关键词半导体器件模拟计算掺杂浓度高斯分布余误差锐度 FORTRAN MATLAB doping density；gauss；complementary error ；sharpness

分类号 O471.2 [理学—半导体物理] TN303 [电子电信—物理电子学]

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常德师范学院学报（自然科学版）

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