期刊文献+

Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

Cd_(1-x)Zn_xTe ELECTRICAL PROPERTIES, THE EQUATION OF STATE AND PHASE TRANSITIONS UNDER HIGH PRESSURE
下载PDF
导出
摘要 在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞 圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣neisen参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。 Resistance-and capacitanc e -pressure relationships for Cd 1-xZn xTe(x=0.04) at ro om temperature and in the pressure range up to 17GPa were measured in a diamond anvil cell.Experimental results indicate that Cd 1- xZn xTe(x=0.04) undergoes two electronic structure transitio ns at about 3.1GPa and 5GPa,and two crystal structure transitions at above 3 .1GPa and about 5.7GPa.p-V relationship for Cd 1-xZn x Te(x=0.04) at room temperature and in the pressure range up to 4.5 GPa was also obtained using a piston-cylinder type device.Experimental results sh ow that a phase transition in Cd 1-xZn xTe(x=0.04) occu rs at about 3.8GPa.Its equations of state before and after the phase transition ,Grüneisen parameter γ 0,bulk modulus B 0 and the first order pre ssure derivative B 0′ of B 0 are also given.
出处 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期269-272,共4页 Chinese Journal of High Pressure Physics
基金 中国科学院红外物理国家重点实验室资助
关键词 电阻 电容 电学性质 状态方程 相变 高压 三元化合物半导体 体弹模量 Gruneisen参数 resistance capacitance equation of state phase transition
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献13

  • 1程开甲,程漱玉.论少子对材料特性的影响[J].材料研究学报,1996,10(1):1-6. 被引量:9
  • 2鲍忠兴,张芝婷.一种新的p-V关系测量技术[J].高压物理学报,1990,4(2):157-160. 被引量:8
  • 3鲍忠兴 张芝婷 等.-[J].科学通报,1984,29(4):846-846.
  • 4鲍忠兴,高压物理学报,1987年,1卷,2期,188页
  • 5程开甲,1993年
  • 6程开甲,超导机理,1993年
  • 7程开甲,Study on Mechanism of Superconductivity,1992年
  • 8鲍忠兴,科学通报
  • 9Chu J H,J Electron Mater,1996年,25卷,8期,1176页
  • 10Chu J H,J Appl Phys,1992年,71卷,8期,3955页

共引文献16

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部