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热激电流法测ZnS:Er薄膜中深能级的研究

The Deep Energy Level in Device of Zns:Er Thin Film Electroluminescence
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摘要 采用热激电流法对ZnS:Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果,推测了几种深能级的产生机制。 In this article, the authors measure the deep energy level in device of ZnS:Er alternating current thin film electroluminescence by the method of thermal activation current, and conjecture the producing mechanism of deep energy level.
出处 《山东科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第3期94-96,共3页 Journal of Shandong University of Science and Technology(Natural Science)
关键词 热激电流法 薄膜 深能级 电致发光器件 稀土杂质 硫化锌 thin film electroluminescence rare-earth impurity
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献6

  • 1柳兆洪,厦门大学学报,1993年,33卷,579页
  • 2柳兆洪,厦门大学学报,1991年,30卷,33页
  • 3李长华,发光学报,1988年,9卷,2期,125页
  • 4洪良基,厦门大学学报,1980年,19卷,54页
  • 5刘瑞堂,陈振湘,孙书农.薄膜交流场致发光特性的研究[J]厦门大学学报(自然科学版),1981(03).
  • 6陈振湘,孙书农,刘瑞堂.掺铒硫化锌ACTFEL中深能级的测定[J].厦门大学学报(自然科学版),1988,27(1):59-63. 被引量:2

共引文献1

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