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x射线衍射研究单晶Si衬底上低温生长的LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3铁电电容器结构
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摘要
通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。
作者
陈效军
机构地区
安徽电大巢湖分校安徽巢湖
出处
《巢湖师专学报》
1999年第3期45-46,共2页
关键词
X射线衍射
单晶Si
LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3
铁电电容器
脉冲激光沉积
分类号
TM53 [电气工程—电器]
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巢湖师专学报
1999年 第3期
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