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焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响 被引量：2

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摘要 以垂直沉积法(vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃,800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征.结果表明,样品在较大范围内保持单晶密排有序结构,而且无断裂现象发生.经400℃和800℃焙烧3h后衍射峰发生很小的蓝移,而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.
作者 汪静 李康 袁春伟
机构地区 东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第20期2120-2122,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金重点资助项目(批准号:69831010).
关键词 焙烧 二氧化硅 胶体晶体薄膜 光学特性 垂直沉积法 紫外-可见光分光光度计 扫描电子显微镜
分类号 O484.4 [理学—固体物理]
  • 相关文献

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引证文献2

二级引证文献7

科学通报
2003年 第20期

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