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CMP润滑方程的多重网格法求解
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摘要
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是用于获取全局和局部高级别平面度的技术,其作用机理包含流体动力作用.求解CMP的润滑方程有助于对其作用机理的了解和认识.文中利用线松弛技术和多重网格技术进行求解,并考察了不同输入参数下的载荷与转矩等的变化情况.
作者
张朝辉
雒建斌
温诗铸
机构地区
清华大学摩擦学国家重点实验室
出处
《自然科学进展》
北大核心
2003年第11期1224-1227,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:59735110)
国家杰出青年科学基金(批准号:50025515)资助项目
关键词
CMP润滑方程
多重网格法
化学机械抛光
线松弛
全网格近似
集成电路
晶片
平面度
流体动力
微电子产业
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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