期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

一种S波段300W功放模块设计 被引量：3

A Design of 300W Power Amplifier Module in S Band
下载PDF
导出
摘要 本文介绍一种S波段300W功率放大器模块设计,功放模块由功放单元与分配合成单元组成。展开讨论了功放单元的功率管选择、匹配电路设计以及分配合成器的仿真设计,并以此组成功放模块进行实物测试,得到了300W输出功率和40%效率的特性。 In this paper, a 300 W power amplifier in S band is designed successfully, this module is constituted by amplifier cell and distribution-combiner cell. Firstly, the selection of Ga N transistor, the principle of match circuit design, and the distribution-combiner design in the module are presented. Then, we put them together to combine a module and test it, getting the result of 300 W output power and 40% efficiency.
作者 邓友富 郑焘
机构地区 中国电子科技集团公司第三十六研究所
出处 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S2期331-333,共3页 Journal of Microwaves
关键词 功放模块 Ga N功率管 阻抗匹配 分配合成 ADS仿真 power amplifier module Ga N transistor impedance matching distribution-combiner ADS simulator
分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献56

  • 1ANDO Y, OKAMOTO Y, MIYAMOTO H,et al. 10-W/mm A1GaN-GaN HFET with a Field Modulating Plate [ J ]. IEEE Electron Device Lett. , 2003,24 (5) :289-291.
  • 2WU Y F, SAXLER A, MOORE M,et al. 30-W/mm GaN HEMTs by Field Plate Optimization [ J ]. IEEE Electron Device Lett. ,2004,25 ( 3 ) : 117-119.
  • 3WU Y F, MOORE M,SAXLER A, et al. 40-W/mm Double Field-plated. GaN HEMTs [C]//64th Device Reserch Conf. , 2006 : 151-152.
  • 4ADIVARAHAN V, GAEVSKI M, KOUDYMOV A, et al. Selectively Doped High-Power AlGaN-InGaN-GaN MOS-DH- FET[J]. IEEE Electron Device Lett. ,2007,28(3):192-194.
  • 5YI PEI, CHU R M, FICHTENBOUM N A, et al. Recessed Slant Gate A1GaN/GaN High Electron Mobility Transistors with 20.9 W/mm at 10 GHz[J]. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46( 11 ) :L1087-L1089.
  • 6KUMAR V, CHEN G, GUO S,et al. Field-plated 0.25- μm Gate-length A1GaN/GaN HEMTs with Varying Field- plate Length[J]. IEEE Trans Electron Device. , 2006,53 (6) :1 477-1 480.
  • 7PALACIOS T, CHAKRABORTY A, RAJAN S, et al. High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band Applications [ J ]. IEEE Electron Device Lett. , 2005,26 ( 11 ) :781-783.
  • 8MICOVIC M, KURDOGHLIAN A, HASHIMOTO P, et al. GaN MMICs for RF Power Applications in the 50 GHz to 110 GHz Frequency Range [ C ]//IEDM Proceedings, 2006: 1-3.
  • 9HIGASHIWAKI M, MATSUI T, MIMURA T. AlGaN/GaN MIS-HFETs with fT of 163 GHz Using cat-CVD SiN Gate-insulating and Passivation Layers [ J ]. IEEE Electron Device Lett. , 2006,27 ( 1 ) : 16-18.
  • 10HIGASHIWAKI M, MIMURA T, MATSUI T. AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on 4H-SiC Substrates with Current-Gain Cutoff Frequency of 190 GHz [ J ]. Appl. Phys. Express, 2008,1 ( 2 ) : 021103-021105.

共引文献2

同被引文献19

引证文献3

二级引证文献5

微波学报
2016年 第S2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部