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MOS随机存贮器(RAM)的发展动向
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摘要
一、256K-DRAM是现发展阶段完成的标志RAM是计算机的关键组成部件,随着计算机向智能化发展,对RAM的需求将成百倍地增长。因此,对RAM的开发研究成为国际上半导体企业界的竞争焦点,发展十分迅速。过去十年,RAM的单片集成度以每二年四倍速度提高,而由于光刻线条越来越细,因而芯片尺寸每二年只增加1.4倍。下表为从77年至83年DRAM及SRAM的进展概况。
作者
徐葭生
机构地区
清华大学微电子所
出处
《微处理机》
1985年第1期4-8,共5页
Microprocessors
关键词
软失效率
集成度
VLSI
日本日立公司
MOS
RAM
电子效应
效应(化学)
限压
分类号
F4 [经济管理—产业经济]
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