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离子注入CMOSlK静态随机存贮器
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摘要
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
作者
蒋培成
杨华丽
机构地区
中国科学院上海冶金研究所一室CMOS组
出处
《微处理机》
1985年第1期25-30,共6页
Microprocessors
关键词
离子注入
多晶硅
存贮器
CMOSlK
流片
离子掺杂
存储器
本征吸杂
场氧化层
开启电压
分类号
TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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微处理机
1985年 第1期
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