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新型NVRAM将成为下一代的主流内存被引量：1

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摘要本文介绍了铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)和相变RAM(PRAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的当前发展动态和未来发展方向。

作者羽成

出处《集成电路应用》 2003年第12期1-3,共3页 Application of IC

关键词 NVRAM 铁电RAM 磁阻RAM 相变RAM 非易失性随机存取存储器

分类号 TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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参考文献1

1孙以材,王静,赵彦晓,田立强,刘江.动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望[J].半导体技术,2002,27(12):10-13. 被引量：4

二级参考文献3

1张俊彦.集成电路制程及设备技术手册[M].台北产业科技发展协进会电子材料与元件协会,1997..
2阮刚,肖夏,朱兆.低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景[J].电子学报,2000,28(11):84-87. 被引量：21
3孙以材,刘新福,宋青林.基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发[J].半导体技术,2001,26(6):46-50. 被引量：4

共引文献3

1刘新福,刘东升,孙以材.一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法[J].稀有金属,2004,28(3):594-597. 被引量：2
2苏双臣,刘新福,张润利,刘金河.探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析[J].北华航天工业学院学报,2007,17(5):35-37. 被引量：1
3刘新福,孙以材,刘东升.两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析[J].电子器件,2004,27(1):5-10.

同被引文献3

1国际电子商情网站，2005，8，2.
2罗克玲．前沿存储器技术向埃未级设计发展，电子工程专辑网站，2005，7，23.
3新一代RAM技术目前正在积极开发中，电子工程专辑网站，2005，7，7.

引证文献1

1羽成.新型NVRAM将统吃未来的内存市场[J].集成电路应用,2005,22(10):2-4.

1羽成.新型NVRAM将统吃未来的内存市场[J].集成电路应用,2005,22(10):2-4.
2成立,王振宇,高平.DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势[J].半导体技术,2004,29(4):1-5. 被引量：11
3Ramtron提供高速串口F-RAM器件样片[J].电子与电脑,2011(11):74-74.
4FeRAM：商用MB铁电RAM[J].世界电子元器件,2003(5):7-7.
5Gary Evan Jensen.MRAM即将步入实用阶段[J].今日电子,2004(10):38-38.
6飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来[J].单片机与嵌入式系统应用,2007(9):78-79.
7飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来[J].电子与电脑,2007(10):67-68.
8Jan Van Houdt Dirk Wouters.存储技术将何去何从？[J].集成电路应用,2007(1):30-33.
9孙以材,王静,赵彦晓,田立强,刘江.动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望[J].半导体技术,2002,27(12):10-13. 被引量：4
10飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来[J].世界电子元器件,2007(10):106-107.

集成电路应用

2003年第12期

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