新型磁性二维材料Fe_3GeTe_2及其室温磁性调控

现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题。传统的磁性薄膜材料[1,2]可通过分子束外延法制备,它们的磁性往往受限于特定的生长衬底,均匀的大面积薄膜的生长也极具挑战性。