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溴化银单晶半导体传感器的研制

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摘要 我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br^-—ISFET),是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器,灵敏度高,稳定性好,使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,还具有多功能化,全固体化和易集成化等特点。特别适应于生物,医学,航天,遥测和摇控等方面。
出处 《渭南师范学院学报》 1988年第2期63-65,共3页 Journal of Weinan Normal University
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