WSD0005型GaAs单片可变衰减器
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期365-365,共1页
Research & Progress of SSE
-
1林永串.离子注入工艺在工业上的应用[J].北京机电通讯,1989(16):1-6. 被引量:1
-
2宋忠烈.用离子注入工艺进行表面改性[J].国外产品与技术,1992(4):17-19.
-
3宋伟.用离子注入工艺进行表面改性[J].现代科技译丛(大连),1993(4):40-45.
-
4王宏天.射频(RF)应用的BGA封装的电特性[J].混合微电子技术,2002,13(3):64-64.
-
5宋宁,周坤.离子注入工艺技术[J].集成电路通讯,2005,23(4):15-18. 被引量:4
-
6朱洪亮,瞿伟,王圩.光电器件介质薄膜电特性检测中的特殊问题及解决办法[J].半导体情报,1991,28(5):53-55.
-
7刘向华,仲顺安,曲秀杰.一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J].红外技术,2001,23(1):19-22. 被引量:1
-
8王文琴.高速ASIC封装的电性能[J].半导体情报,1992,29(6):51-56.
-
9李拂晓,孙玉芳,陈克金,蒋幼泉,陈堂胜,林金庭.4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):98-102.
-
10Bob Reay,Daniel Eddleman.电源跟踪技术[J].今日电子,2005(1):70-72.
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