L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：3
Broadband L-band 250 W Silicon Pulsed Transistors
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
Research & Progress of SSE
同被引文献16
1 黄雒光,赵丽华,刘英坤,张鸿亮,潘茹.2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管[J] .半导体技术,2004,29(12):45-47. 被引量：3
2 王因生,李相光,傅义珠,丁晓明,王佃利,盛国兴,康小虎,陶有迁.1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管[J] .固体电子学研究与进展,2006,26(1):139-139. 被引量：1
3 傅义珠,李相光,戴学梅,盛国兴,王因生,王佃利.3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J] .固体电子学研究与进展,2006,26(1):140-140. 被引量：1
4 王因生,林川,王佃利,王志楠,张树丹,黄仲平,康小虎,钟志新.L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管[J] .固体电子学研究与进展,1997,17(2):114-120. 被引量：5
5 刘恩科 朱秉升.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1981..
6 Patterson H. High L-band medium pulse transistors. IEEE Microwave Magazine, 2006,7 (3):118
7 Patterson H. High L-band medium pulse transistors [J]. IEEE Microwave Magazine, 2006,7 (3) : 118.
8 Belaid M A, Ketata K, Masmoudi M, et al. Electrical parameters degradation of power RF device after ac- celerated ageing tests[J]. Microelectronics Relibility, 2006,46(9-11) : 1800-1805.
9 陈星弼,张庆中编著.晶体管原理与设计[M].2版.北京:电子工业出版社,2006:135.
10 AdolphBlicher.场效应和双极型功率晶体管物理[M].叶润涛,李世诚,王玉儒译.北京:科学出版社,1988:205-208.
引证文献3
1 王因生,李相光,傅义珠,王佃利,丁晓明,盛国兴,康小虎.1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管[J] .Journal of Semiconductors,2008,29(5):965-969. 被引量：6
2 王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J] .固体电子学研究与进展,2012,32(4):356-360. 被引量：1
3 刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉.1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制[J] .固体电子学研究与进展,2014,34(2):124-128. 被引量：3
二级引证文献9
1 徐守利,刘英坤,黄雒光,胡顺欣,邓建国,潘茹.1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制[J] .半导体技术,2011,36(5):355-358. 被引量：2
2 王建志,藩宏菽.提高微波功率双极晶体管性能的研究[J] .半导体技术,2011,36(6):443-445. 被引量：2
3 王因生,陶有迁,徐全胜,金毓铨,傅义珠,丁晓明,王志楠.L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验[J] .固体电子学研究与进展,2011,31(5):473-477. 被引量：7
4 王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J] .固体电子学研究与进展,2012,32(4):356-360. 被引量：1
5 刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉.1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制[J] .固体电子学研究与进展,2014,34(2):124-128. 被引量：3
6 吕勇,王佃利,盛国兴,蒋幼泉.Si腐蚀工艺的优化[J] .固体电子学研究与进展,2014,34(2):197-200.
7 周涛,裴德礼,陆晓东,吴元庆.基于非等温能量平衡模型的GTR二次击穿特性研究[J] .电子元件与材料,2015,34(7):73-77. 被引量：1
8 周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷.直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究[J] .电子元件与材料,2016,35(2):73-78. 被引量：2
9 杨宝平,江昆,黄锋.新型基区结构高反压功率晶体管的优化[J] .半导体技术,2019,44(3):177-184.
1 黄雒光,赵丽华,刘英坤,张鸿亮,潘茹.2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管[J] .半导体技术,2004,29(12):45-47. 被引量：3
2 邓建国,刘英坤,张鸿亮,潘茹,马红梅,李明月,胡顺欣,崔现锋.高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制[J] .半导体技术,2008,33(6):477-479.
3 王因生,李相光,傅义珠,丁晓明,王佃利,盛国兴,康小虎,陶有迁.1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管[J] .固体电子学研究与进展,2006,26(1):139-139. 被引量：1
4 黄雒光,董四华,刘英坤,郎秀兰.L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验[J] .半导体技术,2009,34(5):494-497. 被引量：4
5 田爱华,潘宏菽.体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管[J] .微纳电子技术,2011,48(11):697-701.
6 赵夕彬.固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究[J] .半导体技术,2009,34(4):381-384. 被引量：12
7 戴小平,熊红云.IGCT器件的光刻技术[J] .半导体技术,2007,32(6):470-473.
8 张明.IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术[J] .变流技术与电力牵引,2006(6):15-18. 被引量：5
9 何庆国,王长河,蔡树军.脉冲工作状态下微波功率管瞬态特性研究[J] .半导体情报,1992,29(6):22-27. 被引量：1
10 陈芳林,邹昌,程银华.GCT/GTO阴极梳条修理的方法[J] .大功率变流技术,2010(2):6-8.
