L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量:3
Broadband L-band 250 W Silicon Pulsed Transistors
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
Research & Progress of SSE
同被引文献16
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二级引证文献9
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