L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：3
Broadband L-band 250 W Silicon Pulsed Transistors
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
Research & Progress of SSE
同被引文献16
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二级引证文献9
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5 刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉.1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制[J] .固体电子学研究与进展,2014,34(2):124-128. 被引量：3
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3 王因生,李相光,傅义珠,丁晓明,王佃利,盛国兴,康小虎,陶有迁.1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管[J] .固体电子学研究与进展,2006,26(1):139-139. 被引量：1
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