IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

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摘要功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。

出处《世界电子元器件》 2003年第10期79-79,共1页 Global Electronics China

关键词国际整流器公司 DIRECTFET MOSFET芯片组导热性能降压转换器 IRF6608

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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