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准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究

EXPERIMENTAL STUDY ON EXCIMER LASER LITHOGRAPHY IN AZ1350SF POSITIVE PHOTORESIST
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摘要 80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl激光暴光时采用的是重氮型光刻胶AZ2400。我们采用XeCl准分子激光(波长为308nm)对美国正胶AZ1350SF进行光刻研究,研究中获得一些重要实验结果。
出处 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第4期568-571,共4页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
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