准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究

EXPERIMENTAL STUDY ON EXCIMER LASER LITHOGRAPHY IN AZ1350SF POSITIVE PHOTORESIST

80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl激光暴光时采用的是重氮型光刻胶AZ2400。我们采用XeCl准分子激光(波长为308nm)对美国正胶AZ1350SF进行光刻研究,研究中获得一些重要实验结果。