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10 Gb/s 0.18μm CMOS时钟恢复芯片 被引量:2

10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC
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摘要 介绍了基于0 18μmCMOS工艺的10Gb/s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明,该电路能工作在10GHz频率上,输入信号峰值0 4V时,同步范围可以达到270MHz,总功耗210mW。 This paper introduces the design of a 10 Gb/s clock recovery circuit to be fabricated in 0.18 um CMOS technology. Employing a preprocessor with a simple PLL, the circuit exhibits a pull-in-range of 270 MHz at 10 GHz and the total power is 210 mW(when the amplitude of input signal is 0.4 V).
出处 《电子器件》 CAS 2003年第4期434-437,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
基金 国家863计划光电子主题项目(编号:2001AA312010)
关键词 预处理 时钟恢复 CMOS preprocessor clock recovery CMOS
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