低维结构中的应变效应的研究
摘要
1引言
半个世纪以来,半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位.这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵,而且其性能可置于不断发展的精密工艺控制之下,传统的晶体管、集成电路及很多其他半导体电子元件都是明显的例证.
出处
《红外》
CAS
2004年第1期16-20,共5页
Infrared
参考文献15
-
1Osboura G C. J Appl Phys. 1982. 53:1586.
-
2Vall de Wall C G. Band lineups and deformation potentials ill tlle model-solid theory. Phys Rev , 1989,B39:1871.
-
3S Satpathy, R M Martin and C G Van de Walle,Phys Rev B 38(1988)13273.
-
4T Ishikawa and J E Bowers IEEE J Quantum Elect QE-30, (1994)562.
-
5Landolt-Bornstein,Numerical Data and Functional Relationships ill Science and Technology. Vol. 17a(Springer, Berlin, 1982).
-
6Matthews J W, Blakeslee A E ,J Cryst Growth, 1974, 27:118.
-
7People R bean J C. Appl Phys Lett, 1985, 47:332.
-
8Platero G, Altarelli M. Phys Rev, 1987, B36:6591.
-
9Marzin J y, Charasse M n, Sermage B . Phys Rev,1985, B 31:8298.
-
10Tanbou-Ek T,Logan R A, Temkin H, et al. Appl Phys Lett, 1989, 55:2283.
-
1王际超,张国英,刘贵立.杂质对(CdSe)_m/(ZnSe)_n应变半导体材料的影响[J].沈阳工业大学学报,1999,21(1):56-59.
-
2路文江,王玲,汤富领,冯煜东,吴春华.LaMnO_3/SrMnO_3超晶格应变下的电磁性质[J].兰州理工大学学报,2012,38(5):159-163.
-
3倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉.N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响[J].物理学报,2004,53(5):1474-1482. 被引量：5
-
4彭苏娥.半导体器件成品率的高低是产品质量与可靠性高低的“预示”[J].电子产品可靠性与环境试验,2002,20(3):58-62. 被引量：3
-
5陈君,周红,余森江.Si_(90)Al_(10)N_x薄膜的工艺控制及光学性能研究[J].真空,2013,50(4):22-25.
-
6本刊通讯员.得可焊膏滚动高度监测引领工艺控制新水平[J].电子与封装,2009,9(10):46-46.
-
7Ralph Spicer,Jeff Hawthorne,Darryl Peters,Robert Newcomb.控制工艺诱导电荷提高生产力[J].集成电路应用,2009,26(5):24-27.
-
8祖继锋,耿完桢,洪晶,余宽豪,江志庚,李志彭,陈学良.PECVD SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用[J].光学学报,1995,15(7):913-916. 被引量：5
-
9张盛武,黄烽,李明,宋秋明,谢斌,王海千,赵东锋,陈旸,姜友松,宋亦周.在反应磁控溅射过渡区制备高反射膜的工艺控制[J].中国激光,2009,36(1):198-204. 被引量：3
-
10Marie-Pierre Planche Taikai Liu Sihao Deng Ghislain Montavon.Development of an Emulator for the Plasma Process Control[J].Journal of Mechanics Engineering and Automation,2015,5(1):10-18.
