电子辐照Si（Sn,Yb）外延层的光致发光
-
1王忠安.电子辐照晶体管的研究[J].半导体技术,1989,5(3):17-24.
-
2阮殿清.SN—320无绳电话机故障检修一例[J].无线电,1998(1):32-32.
-
3许志祥.电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响[J].上海微电子技术和应用,1994(4):26-30.
-
4小巧尊贵之选 声丽SN-408[J].电脑爱好者,2011(1):105-105.
-
5翟冬青,李彦波,李浩.电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响[J].Journal of Semiconductors,1992,13(11):709-713.
-
6许志祥.电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响[J].核技术,1991,14(4):253-255. 被引量：3
-
7郭义,潘洪胜.电子辐照砷化镓的电学性质[J].苏联科学与技术,1989(2):29-32.
-
8曹望和,张联苏.退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响[J].Journal of Semiconductors,1991,12(2):80-86. 被引量：1
-
9翟冬青.电子辐照晶体管hFE的稳定性研究[J].电子产品可靠性与环境试验,1991(5):16-20.
-
10翟冬青.电子辐照对硅双极晶体管参数的影响[J].辐射研究与辐射工艺学报,1992,10(2):126-128. 被引量：2
;
