GaN-MOCVD设备的发展现状及产业化思考被引量：3

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摘要 GaN-MOCVD是生产GaN基半导体材料和器件的关键设备,其国产化、产业化必须解决国外专利制约、降低成本、计算机模拟和仿真以及尾气处理等方面的难题。

作者胡晓宇

机构地区中国电子科技集团公司第

出处《新材料产业》 2003年第12期33-37,共5页 Advanced Materials Industry

关键词 GAN 半导体氮化镓产业化白光发光二极管 LED 金属有机物化学气相淀积 MOCVD

同被引文献8

1曲钢,徐茵.GaN薄膜生长实时监控系统的实现[J].半导体技术,2004,29(9):70-73. 被引量：1
2胡晓宇,何华云.生产型GaN MOCVD设备控制系统软件设计[J].电子工业专用设备,2006,35(11):28-32. 被引量：4
3何华云,胡晓宇.生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术[J].电子工业专用设备,2006,35(12):61-64. 被引量：4
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5SYSMAC CS CJ Series,CS1W-ETN21(100Base-TX)CJ1W-ETN21(100B-TX);Ethernet Units Construction of Networks OPERATION MANUAL[Z].OMRON公司.
6SYSMAC CS and CJ Series,CS1W-ETN21(100Base-TX)CJ1W-ETN21(100Base-TX);Ethernet Units Construction of Applications OPERATIONMANUAL[Z].OMRON公司.
7乐丽琴,贺素霞.LED照明市场爆发中的技术瓶颈分析[J].电子元件与材料,2014,33(3):85-86. 被引量：3
8杨基南,刘亚红.GaN-MOCVD设备产业化发展战略研究——Ⅲ族氮化物半导体的热点、难点、机遇和挑战[J].新材料产业,2003(6):17-19. 被引量：6

1何华云,胡晓宇.生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术[J].电子工业专用设备,2006,35(12):61-64. 被引量：4
2胡晓宇,杨友才,何华云,邹春艳,王慧勇,李学文.基于以太网通讯模块的MOCVD设备控制系统设计[J].电子工业专用设备,2007,36(9):20-24. 被引量：1
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1胡晓宇,杨友才,何华云,邹春艳,王慧勇,李学文.基于以太网通讯模块的MOCVD设备控制系统设计[J].电子工业专用设备,2007,36(9):20-24. 被引量：1
2胡晓宇,王建成,邹春艳.基于串行通讯协议宏的MOCVD反应室压力控制[J].电子工业专用设备,2008,37(1):38-41. 被引量：2
3胡晓宇,陈海昕.基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化[J].电子工业专用设备,2008,37(7):37-41. 被引量：1
4刘玉贵,甘志银,孙江平.MOCVD气源输运技术研究[J].机械与电子,2014,32(3):18-21. 被引量：1

新材料产业

2003年第12期

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