集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨被引量：2

Research on Mechanism of ESD Oxide Breakdown of IC Devices

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摘要　在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理. On the basis of the physical model of ESD dielectric oxide breakdown of IC devices, this paper discusses the mechanism of ESD oxide breakdown when a first order voltage is applied across and oxide.

作者孙可平赵俊萍

机构地区上海海运学院静电与电磁兼容研究室

出处《中原工学院学报》 CAS 2003年第B08期19-20,共2页 Journal of Zhongyuan University of Technology

基金上海市高等学校科技基金资助项目

关键词集成电路绝缘氧化层 ESD介质击穿机理介质击穿物理模型 mechanism of dielectric breakdown ESD dielectric breakdown IC devices

分类号 TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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2003年第B08期

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