碳纳米管和半导体表面的化学修饰
出处
《科学》
2004年第1期16-16,共1页
Science
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1刘向阳,王蓓,郑海务,黄明举,顾玉宗.表面光电压谱及其检测技术实验[J].物理实验,2009,29(12):1-4.
-
2刘向阳,孙献文,郑海务,黄明举,顾玉宗.表面光伏技术在创新实验教学中的应用[J].实验室研究与探索,2010,29(8):99-102. 被引量:1
-
3黎小鹿,李俊,陶向阳.超短脉冲激光烧蚀半导体表面的热效应分析[J].激光技术,2007,31(6):624-626. 被引量:5
-
4曹宝成,马洪磊,罗升旭,刘可辛,于新好,杜信荣,宗福建,李玉香,计锋.新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果[J].山东大学学报(自然科学版),1995,30(2):174-177. 被引量:6
-
5柏松,韩春林,陈刚.4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究[J].电子工业专用设备,2005,34(11):59-61. 被引量:5
-
6半导体硅重构表面相研究新进展[J].中国有色金属,2008(7):73-73.
-
7桑明煌,张祖兴,么晓征,樊明新,詹黎.Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析[J].光电子.激光,2003,14(6):647-649.
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8蔡群,董树忠.低能电子显微术及其应用[J].物理,1996,25(7):433-439. 被引量:1
-
9半导体硅重构表面相及其相变研究[J].中国科学院院刊,2008,23(2):178-178.
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10半导体硅重构表面相研究新进展[J].现代材料动态,2009(2):19-20.
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