摘要
为实现高集成密度、高产量和短制造周期,发展了一种新的双层迭式LSI 制造工艺.称作初级纵向集成电路(ELVIC)技术工艺是把两个用常规方法制造的LSI 芯片面对面放置并热压在一起.此工艺还包括上下两层LSI 纵向互连(VI)的形成、上下两层表面的平整化和使用热压方法的中间层连接.本实验中,在5×5mm^2的芯片上,约有52000个10×10μm^2的金-钛纵向互连.测量得知,每对VI 点的拉伸强度为4mg 力.已制造出由上层p 沟和下层n 沟MOSFET 组成的两层31级体硅CMOS 环形振荡器.在电源电压为5V 时,每级的传输延迟时间为1.86ns.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1991年第2期41-43,共3页
Microelectronics & Computer
