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关于“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文的讨论

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摘要最近我们收到杭州大学夏银水同志的来稿,对本刊1990年第3期发表的“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文提出了一些不同看法.为贯彻“百花齐放,百家争鸣”的方针,活跃刊物气氛,我们决定将夏银水同志的文章全文发表,以期有兴趣的同志对此展开讨论.

作者夏银水竺树声

机构地区杭州大学电子系

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第4期46-47,共2页 Microelectronics & Computer

关键词 Cr-SiO薄膜电阻工艺低温度系数标准偏差

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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参考文献2

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二级参考文献1

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微电子学与计算机

1991年第4期

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