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高温电路的潜力及问题 被引量:3

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摘要 本文着重对各种半导体材料、工艺、器件、数字和模拟电路的高温特性进行比较;概述了过去30年的发展史,说明MOSFET工艺处于重要地位;总结了标准ICCAD程序中高温模型的缺点,提出了近期和远期对高温电路的需求。
作者 宋湘云
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第5期62-67,共6页 Microelectronics
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