摘要
介绍了等离子体淀积氮化硅薄膜的最新研究进展,包括薄膜的生长工艺、淀积机理、应用及膜中氢的分析。
This thesis concerns the latest progress of the research on PECVD SiN film including the growth process, the deposition mecharism, the wide applications and the analysis of hydrogen in the films.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1992年第8期7-9,共3页
Microelectronics & Computer
基金
国家自然科学基金
关键词
氮化硅
等离子体
淀积
Silicon nitride, Progress, PECVD
