多晶硅栅的BCl^+离子注入技术

在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n+多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n+多晶硅注入B+,使其变成p+型多晶硅。可是,随着集成度的提高,最小线宽越变越窄,也要求多晶硅膜更薄,即使用很低能量的B+来注入,B+也会穿透多晶硅层进入基片中。为避免穿透,已发展了采用BF2+注入来形成P+型多晶硅栅的办法。它确实能有效地降低B的注入深度,但也带来了另外的问题,这就是BF2+注入多晶硅中的F元素,在氧化膜中扩散,在随后的热处理中,会使氧化膜中B加速扩散到基片中,引起VTH的变化,而成为一个麻烦问题。