摘要
研究了结晶度和间规度在1145、1096和916cm^-1波段的影响。在1145cm^-1处的强度随低结晶度下间规度的增大而增大，且在相同间规度下随结晶度的增大而增大。在1096cm^-1处的强度在一固定的结晶度下随间规度的增大而增大，但却与样品的结晶度无关。分子间的氢键起着重要的作用。阐述了吸收比率D1145/D1096和结晶度之间与间规度的关系。在916cm^-1处随结晶度增大的强度的降低程度，随着间规度的降低而增大。这可以认为晶体中导入的间规度处于较低的程度。间规度(s-％)与吸收率码D916／D849之间的关系式可表示为s-％=71．1×(D916／D849)^0.327，此时薄膜的温度为50℃，间规度量来自NMR光谱。
