MOS电容器指数衰减瞬时电流的分析
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第6期68-68,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1张秀森.准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性[J].杭州大学学报(自然科学版),1992,19(4):385-389.
-
2宫良平.直流电动机等效电容特性分析[J].山东大学学报(工学版),2003,33(6):638-643. 被引量:1
-
3丁峰,戴显熹.层状高温超导体的临界电流理论[J].低温物理学报,1998,20(2):136-141. 被引量:1
-
4Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率[J].变频器世界,2015,0(5):22-22.
-
5汪源浚.用示波器、信号发生器检测直流偏流对电感的影响[J].教学与科技,2014,27(3):16-20.
-
6张秀淼.产生区宽度模型与产生寿命的确定[J].杭州大学学报(自然科学版),1993,20(4):425-428.
-
7Gaitan,M,韩梅.MOS电容器对小信号响应的最值分析[J].数理译丛,1990(1):49-57.
-
8徐静平,陈卫兵,黎沛涛,李艳萍,陈铸略.Electrical properties and reliability of HfO2 gate-dielectric MOS capacitors with trichloroethylene surface pretreatment[J].Chinese Physics B,2007,16(2):529-532. 被引量:1
-
9张旭俊.Prony分解的本质及其算法改进的新途径[J].江西电力,2012,36(2):4-8. 被引量:3
-
10郑丹,杨晟.退火温度对高介电常数Ta_2O_5薄膜电学性能的影响[J].电子元件与材料,2011,30(12):24-26. 被引量:4
;