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多晶硅CVD HfO2栅层叠的时间相关介质击穿

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出处 《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第6期69-69,共1页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing
关键词 多晶硅栅叠层 CVD HFO2 时间相关介质击穿 可靠性 栅氧化
分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
电子产品可靠性与环境试验
2003年 第6期

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