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红外光谱分析在高压硅器件表面保护材料固化工艺研究中的应用

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摘要 一、前言半导体表面,特别是高压硅器件的p-n结表面,对污染极为敏感,表面沾污严重地影响着硅器件的性能。因此,经过磨角,腐蚀后的半导体表面,必须用表面保护材料保护起来,因而,保护材料的性能直接影响着器件的性能。
机构地区 西安交通大学
出处 《绝缘材料通讯》 CAS 1989年第5期37-40,共4页
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