分子束外延生长PbEuSeTe的光电导与深能级

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摘要 Ⅳ—Ⅵ族稀土铅盐合金半导体材料PbEuSeTe是实现2～4μm波段范围超低损耗光纤通讯所需的光源及探测器的重要光电功能材料。本文利用稳态及瞬态光电导方法研究了材料中的深能级及其在材料中的作用,认为深能级可能是由于加入铕而引起的晶格缺陷产生的,在材料中主要起复合中心作用。

作者宋航陈伟立史智盛付义

机构地区中国科学院长春物理研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期27-29,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词外延生长 PbEuSeTe 光电导深能级

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稀有金属

1992年第1期

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