纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

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摘要本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。

作者孙贵如罗海云

机构地区北京有色金属研究总院机电部十三所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期22-26,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词砷化镓离子注入电子显微术

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稀有金属

1992年第1期

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