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Transient saturation absorption spectroscopy excited near the band gap at high excitation carrier density in GaAs

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出处 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第1期111-114,共4页 中国物理B(英文版)
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参考文献25

  • 1Wang D L et al .2002 J Opt A-Pure Appl Opt 4 155.
  • 2Wang D Let al .2002 Chin Phys Lett 19 1115.
  • 3Lin W Z, Fujimoto J G, Ippen E P and Logan R A .1987Appl Phys Lett 50 124.
  • 4Lin W Z, Fujimoto J G, Ippen E P and Logan R A .1987Appl Phys Lett 51 161.
  • 5Zhao Q X et al .2001 Phys Rev B 63 125337.
  • 6Yuan X Z et al .2000 J Infrared Millim Waves 19 385.
  • 7Zimmermann R .1988 Phys Star Solidi B 146 371.
  • 8Haug H and Stephan W K .1989 Phys Rev A 39 1887.
  • 9Tanguy C and Combescot M .1992 Phys Rev Lett 68 1935.
  • 10Hunsche S, Heesel H and Kurz H .1993 Phys Rev B 48 17818.

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