期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析 被引量：1

Simulation and analysis of basic RTD-based circuits
下载PDF
导出
摘要 简单介绍了RTD的器件特性和器件模型 ,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性。通过对不同电路参数I V特性的模拟和分析 。 After an introduction of the device characteristics and the equivalent circuit model of RTD, the simulation results of several basic RTD based circuits by HSPICE are presented and analyzed, for the aim of providing help to understand RTD operation mechanism and construct complex RTD based circuits.
作者 程玥 许军
机构地区 清华大学微电子学研究所
出处 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期579-582,共4页 Micronanoelectronic Technology
关键词 共振隧穿二极管 双稳态 HSPICE模拟 RTD HSPICE模拟 电路特性 RTD bistable circuits HSPICE simulation
分类号 TN312.2 [电子电信—物理电子学] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献6

  • 1[1]SUN J P, HADDAD G I, et al. Resonant tunneling diodes: models and properties [J]. Proc of the IEEE, 1998, 86 (4): 641.
  • 2[2]SEABAUGH A, BRAR B, et al. Resonant-tunneling mixed-signal circuit technology [J]. Solid State Electronics, 1999, 43:1355.
  • 3[3]SCHULMAN J N, DE LOS SANTOS H J, CHOW D H. Physics-based RTD current-voltage equation [J]. IEEE Electron Device Letters, 1996, 17(5): 220.
  • 4[4]VAN DER WAGT J P A, TANG H, BROEKAERT T P E, et al. Multibit resonant tunneling diode SRAM cell based on slew-rate addressing [J]. IEEE Trans on Electron Devices, 1999, 46(1): 55
  • 5[5]MORITA K, et al. High performance CMOS compatible bistable operation at extremely low supply voltage by a novel Si interband tunnel diode[A]. 56' Dev Res Conf [C]. 1998,42-43.
  • 6[6]ROMMEL S L, et al. Room temperature operation of epitaxially grown Si/SiGe/Si resonant interband tunneling diodes [J]. Appl Phys Lett,1998,73(10):2191.

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献2

微纳电子技术
2003年 第7期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部