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用表面光伏方法测量GaAs电学参数

Measurement of Electrical Parameters of GaAs by Surface Photovoltage Method
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摘要 用表面光伏方法和计算机拟合技术得到N-GaAs的(?)等电学参数在21~320 K的数值、温度关系曲线和μ_γ的半经验公式。 The temperature dependence curves of the electrical parameters. n0, μ(?), L(?), V(?), etc. , of N-GaAs and an semiempirical formula of μu are obtained by the surface photovoltage methcxl and the computer fitting technique in the temperature range 21-320 K.
作者 张声豪
出处 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期146-151,共6页 Journal of Xiamen University:Natural Science
关键词 表面光伏 砷化镓 电学参数 GaAs, Surface photovoltage, Computer fitting calculation
  • 相关文献

参考文献6

  • 1张声豪,厦门大学学报,1990年,29卷,268页
  • 2叶良修,半导体物理,1983年
  • 3张月清,半导体中的深能级杂质,1981年
  • 4林兰英,1979年
  • 5冯康,数值计算方法,1978年
  • 6刘士毅,厦门大学学报,1965年,12卷,52页

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