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碳纳米管的场发射特性 被引量：2

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摘要 研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。
作者 陈绍凤 夏善红 宋青林 胡平安 刘云圻 朱道本
机构地区 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院化学研究所分子科学中心
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期166-169,共4页 半导体学报（英文版）
关键词 碳纳米管 场致发射 一致性
分类号 O462.4 [理学—电子物理学]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1魏飞,刘唐,罗国华,王篧.碳纳米管及其批量制备研究进展[J].微纳电子技术,2002,39(6):1-4. 被引量：5
  • 2Thostenson E T,Ren Z F,Chou T W.Advances in the science and technology of carbon nanotubes and their composites:a review.Composites Science and Technology,2001,61:1899
  • 3Wang Z L,Poncharalb P,De Heerb W A.Nanotubes,nanoscience,and nanotechnology.Materials Science and Engineering C,2001,15:1
  • 4Collins P C,Arnold M S.Engineering carbon nanotubes and nanotube circuits using electrical breakdown.Avouris P Science,2001,27(4):706
  • 5韩红梅,王太宏.纳米线、纳米管的制备、表征及其应用[J].微纳电子技术,2002,39(5):1-10. 被引量：16

二级参考文献37

  • 1[1]Iasreen G, Luyken C R J et al. Science, 1995, 269: 966.
  • 2[2]Golberg D, Bando Y et al. Chem Phy Lett, 1997, 279: 191.
  • 3[3]Weng-Sieh Z, Cherrey K et al. Phys Rev B, 1995, 51 (16): 11229.
  • 4[4]Schmidt O G, Eberl K. Nature, 2001, 410: 168.
  • 5[5]Ghadirl M R, Granja J R et al. Nature, 1993, 366: 324.
  • 6[6]Ghadiri M R, Granja J R et al. Nature, 1994, 369: 301.
  • 7[7]Guang Li, Linda B. McGown, Science, 1994, 264: 247.
  • 8[8]Hongjie Dai, Wong E W et al.Nature, 1995, 375: 769.
  • 9[9]Mukhopadhyay K, Loshio A et al. Chemical Physics Letters1999, 303: 117.
  • 10[10]Li J, Sun Z et al. Appl Phys Lett, 2001, 79 (11): 1670.

共引文献19

同被引文献23

  • 1张继华,杨传仁,王曦.碳纳米管场发射机理述评[J].材料导报,2006,20(2):13-16. 被引量：3
  • 2Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354:56
  • 3Morales A M, Lieber C M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires. Science,1998,279:208
  • 4Tang Y H,Zhang Y F,Lee C S,et al. Large scale synthesis of silicon nanowires by laser ablation. Mater Res Soc Symp Proc, 1998,526: 73
  • 5Wildoer J W G, Venema L C, Rinzler A G, et al. Electronic structure of atomically resolved carbon nanotubes. Nature,1998,391:59
  • 6Tans S J,Verschueren A R M,Dekker C. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. Nature, 1998,393:49
  • 7Javey A,Guo J,Wang Q,et al. Ballistic carbon nanotube fieldeffect transistors. Nature, 2003,424: 654
  • 8Tang Y H,Zhang Y F,Peng H Y,et al. Si nanowires synthesized by laser ablation of mixed SiC and SiO2 powders. Chem Phys Lett, 1999,314:16
  • 9Holmes J D,Johnston K P,Doty R C,et al. Control of thickness and orientation of solution-grown silicon nanowires. Science,2000,287(5) :1471
  • 10Fagan S B, Mota R,Baierle R J, et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. J Mol Struct (Theochem), 2001,539:101

引证文献2

二级引证文献4

Journal of Semiconductors
2003年 第B05期

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