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VLSI干蚀刻终点检测技术简介

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摘要 在蚀刻时会形成等离子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区域。一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止。这种停止刻蚀反应的检测手段被称为终点检测(endpoint)。
作者 姚敏 李宁
出处 《科技资讯》 2008年第22期41-42,共2页 Science & Technology Information
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Okumura H,Akane T,Tsubo Y.Comparison of conventional sur-face cleaning methods for Simolecular beam epitaxy[].J Electro-chemSoc.1997
  • 2Ohmi T,Imaoka T,Sugiyama I,et al.Metallic impurities segregation at the interface between Si wafer and liquid during wet cleaning[].Journal of the Electrochemical Society.1992

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