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多光谱单片红外焦平面列阵探测器
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摘要
本发明提供一种多色红外传感器件,即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下:在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接外延生长的读出集成电路;
作者
高
出处
《红外》
CAS
2004年第2期16-16,共1页
Infrared
关键词
红外焦平面列阵
探测器
红外传感器件
分子束外延
碲镉汞材料
集成电路
湿法蚀刻
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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John R.Vig,高国龙.
基于石英微共振器的非致冷红外成像列阵(下)[J]
.红外,1999(4):35-39.
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3
高.
多光谱单片红外焦平面列阵探测器[J]
.红外,2004(1):47-47.
4
李小刚.
高精度蚀刻技术[J]
.印制电路资讯,2005(4):66-67.
5
肖方,汪辉,罗仕洲.
氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率[J]
.半导体技术,2007,32(10):847-850.
被引量:8
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罗红心,周礼书,杜春雷.
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.光电工程,2000,27(6):9-11.
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李绍彬.
一种改善由隧穿氧化层氮化技术引起栅氧化层衰退的方法[J]
.电子与封装,2015,15(11):39-42.
8
汪兆平,邢益荣.
采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质[J]
.物理,1995,24(8):496-502.
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王霄,史泽林.
红外读出电路噪声优化分析[J]
.半导体光电,2013,34(6):939-942.
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10
斯芳虎.
关于LED用蓝宝石图形化衬底探讨[J]
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红外
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