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新型存储器技术有望达到最高速度

New memory technology promises top speeds

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摘要美国Tezzaron半导体公司近日发布了一种伪静态存储器原型，据报道，这种器件能实现1．3ns延迟时间，和每个针脚2Gb／s吞吐率。这种存储器增强的速度密度被认为是开发下一代测试设备和高速成像设备以及振兴L2和L3高速缓存的关键。

作者 Gary Evan Jensen

出处《今日电子》 2004年第1期2-2,共1页 Electronic Products

关键词存储器 Tezzaron半导体公司 PSiRAM CMOS逻辑工艺

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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今日电子

2004年第1期

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