可擦写型双层相变光盘高透射率记录层技术

The technology of rewritable double layer phase change high project rate recordable

可擦写型双层相变光盘的前记录层(激光入射面的记录层,或称前层)需要一个相变光记录层。该记录层具有高投射率的反射率反差[设结晶部的反射率为Rcry、非结晶部的反射率为Ramo,则反射率反差的定义为(Rcry-Ramo)/(Rcry+Ramo)]。从激光入射面来看,该前层的结构依次是ZnS-SiO_2层、界面层、GeTe-Sb_2Te_3相变材料层(6nm)、界面层、Ag合金反射层(10nm)。和传统的结构相比,其特点是最上层为具有稿投射率的TiO_2层(20nm)。TiO_2层与反射层之间可产生光学干涉,非晶部和结晶部可实现高投射率,分别达到54％和51％。而且,为了增大反射率反差,采用使信号极性成为Rcry>Ramo的所谓“High to Low结构”,获得了超过0.7的巨大的反射率反差(Ramo=0.7％,Rcry=5.7％)。该前层采用波长405nm、NA=0.85的光学系统,记录最短标记(记录畴)长为0.149μm的1-7PP调制信号(双层相当于50GB的密度)时,在10mW的记录功率条件下,可获得7.4的抖晃值。