193纳米微影湿浸式技术暂居较佳发展位置

微影工艺技术在IC制造中一直扮演着举足轻重的角色,随着IC产品技术需求的提升,微影技术也需不断地提高分辨率以制作更微小的特征尺寸(feature size)。为符合未来65纳米以下阶段的需求,微影设备供货商也极力开发新的光学及非光学微影技术。但因2003年5月Intel宣布不导入157纳米微影设备于65纳米工艺,将继续使用193纳米微影技术进行65纳米及45纳米工艺,并计划导入极短紫外光(EUV)微影设备,用于32纳米工艺。此举导致先进厂商对微影技术的发展方向看法分歧,ITRS亦于2003年12月研讨会中大幅度修正2001年所发表的微影技术预测(如表1所示)。经学术界与产业界的研究与评估,65纳米以下阶段最具潜力的微影技术,分别是193纳米微影湿浸式技术(Liquid Immersion)、157纳米微影、极短紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)微影以及投影式电子束微影技术 (Electronbeam Projection lithography;EPL)。