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MOSFET门极驱动电压的优化

Optimizing MOSFET gate driving voltage
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作者 Steve Mappus
机构地区 TI公司
出处 《今日电子》 2004年第2期11-14,共4页 Electronic Products
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Bill Andreycak.高性能MOSFET、IGBT及MCT门极驱动电路的实际应用考虑事项,德州仪器资料号:SLUA105[M].,..
  • 2Peter Markowski.估计MOSFET开关损耗意味着更高性能的降压转换器.摘自2002年12月18日PlanetAnalog.com网站,.
  • 3Laszlo Ealogh.电源设计研讨会SEM--1 400主题二《MOSFET门极驱动电路的设计与应用指南》德州仪器资料号:SLUP169[M].,..
  • 4Brian Lynch与KurtHesse.电源设计研讨会SEM-1500主题五剖析低压DC/DC转换器,德州仪器资料号:SLUP206[M].,..

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