As^＋,Si^＋双注入GaAs瞬态退火的行为
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1张沈军,穆森.双离子注入、红外瞬态退火后多晶—单晶中的杂质分布[J].微处理机,1993,14(2):62-64.
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2范伟栋,王渭源.As^+、Si^+双注入GaAs瞬态退火的行为[J].Journal of Semiconductors,1989,10(3):230-232. 被引量：2
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3李国辉,朱德华,张通和,罗晏,韩德俊.Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1990,26(4):23-27.
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4郑丽荣,殷士端.MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析[J].汕头大学学报（自然科学版）,1991,6(1):27-31.
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5张通和,李国辉,阎凤章,罗晏,吴瑜光,王文勋.离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1987,23(3):41-48. 被引量：1
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