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微封装功率MOSFET应用(三)——减小功率开关冲击电流措施
被引量:
2
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摘要
功率开关用在控制负载电路通、断时,若负载前端有大电容,由于开关的导通电阻极小,若电容器的等效串联电阻(ESR)较小,开关在接通瞬间,电源对电容器的充电电流很大、形成冲击电流。冲击电流超过MOSFET的极限脉;中漏极电流IDM(IDM比连续漏极电流ID大3~5倍)时,若不采取措施,有可能使MOSFET损坏。
作者
方佩敏
出处
《电子制作》
2004年第3期50-50,共1页
Practical Electronics
关键词
微封装
功率MOSFET
功率开关
冲击电流
电路工作原理
分类号
TM564 [电气工程—电器]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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