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微封装功率MOSFET应用(三)——减小功率开关冲击电流措施 被引量:2

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摘要 功率开关用在控制负载电路通、断时,若负载前端有大电容,由于开关的导通电阻极小,若电容器的等效串联电阻(ESR)较小,开关在接通瞬间,电源对电容器的充电电流很大、形成冲击电流。冲击电流超过MOSFET的极限脉;中漏极电流IDM(IDM比连续漏极电流ID大3~5倍)时,若不采取措施,有可能使MOSFET损坏。
作者 方佩敏
出处 《电子制作》 2004年第3期50-50,共1页 Practical Electronics
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