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基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器 被引量:6

Long Wavelength Resonant Cavity Photodetectors with InP/Air-Gap Bragg Mirrors
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摘要 报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz的 3d B响应带宽 ,其中器件的台面面积为 5 0 μm× 5 0 μm. An InP based resonant cavity enhanced (RCE) photodetector is demonstrated.InP/air-gap distributed Bragg reflector (DBR) with high reflectivity is fabricated by using selective wet etching.Moreover,long wavelength RCE photodetectors with InP/air-gap DBR is realized for the first time.The quantum efficiency of 59% at 1.510μm and 3dB bandwidth at 8GHz are achieved with devices active area of 50μm×50μm.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期170-173,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2 AA3 12 2 9Z) 国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 5 )资助项目~~
关键词 谐振腔增强型光电探测器 长波长 空气隙 选择性湿法刻蚀 resonant cavity enhanced (RCE) photodetector long wavelength air gap selective wet etching
  • 相关文献

参考文献2

  • 1nlüMS StriteS.Resonant cavity enhance photonic de-vices[J].J Appl Phys,1995,78:607-607.
  • 2Streubel K Rapp S Andre J et al.1.26μm vertical cavitylaser with two InP/air-gap reflectors[J].Electron Lett,1996,32(15):1369-1369.

同被引文献44

  • 1王琦,黄辉,王兴妍,任爱光,武鹏,黄成,黄永清,任晓敏.InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器理论分析及实验研究[J].中国激光,2005,32(8):1045-1049. 被引量:2
  • 2李成,赖虹凯,陈松岩,王启明.带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器[J].光电子.激光,2006,17(1):62-64. 被引量:5
  • 3侯识华,孙捷,毛容伟,吴旭明,马骁宇,谭满清,陈良惠.基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器[J].半导体光电,2006,27(5):543-546. 被引量:1
  • 4王文娟,王兴妍,黄辉,崔海林,苗昂,李轶群,任晓敏,黄永清.新型长波长可调谐光电探测器[J].光电子.激光,2006,17(11):1283-1286. 被引量:7
  • 5Yasser M,El-Batawy. Effects of the parasitics on the time response of RCE-PDs [J].IEEE Trans. on Electron Devices, 2005,3(25): 325-334.
  • 6Kim D H, Song H J, Roh C H, et al. Improved Spectral Response of an InAs QD RC-SACM-APD with Ta2O5/SiO2 DBRs[C]// Proc. IEEE International Conference on Nano, 2007,8:681-685.
  • 7Ghioni M, Armellini G, Maccagnani P, et al. Resonant-cavity-enhanced single-photon avalanche diodes on reflecting silicon substrates [J]. IEEE Photon. Lett. ,2008,20(3) :413-415.
  • 8Tan C H. Low multiplication noise thin Al0.6Ga0.4 As avalanche photodiodes[J]. IEEE Trans. on Electron. Deviees,2001,48(7) :1310-1317.
  • 9You A H, Low L C. Avalanche multiplication and excess noise factor of heterojunction avalanche photodiodes[C]// Proc. of ICSE2006,2006:324-328.
  • 10Liu Enke. Semiconductor Physics [ M]. Shanxi: Xi'an Jiaotong University Press, 2005 :51-57.

引证文献6

二级引证文献3

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