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Si对反应烧结SiC热电性能的影响 被引量:1

Influence of Si for Pyroelectricity of Reaction Sintering SiC
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摘要 SiC是一种具有良好应用前景的高温热电半导体材料,近年来一直得到广泛的关注和研究。本文对反应烧结SiC的热电性能进行了初步研究,发现该材料中的Si对其热电性能有显著的影响。经研究发现,这一影响只有在一定温度和一定残留Si的情况下才能表现出来。
出处 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2004年第1期9-12,共4页 Ceramics Science & Art
  • 相关文献

参考文献4

  • 1吕振林,熊流峰,高积强,金志浩.反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率[J].西安交通大学学报,1999,33(4):48-51. 被引量:4
  • 2A Study Ior Thermoelectric Properties of Ni Doped SiC Sintered Thermoelectric Semiconductor, Yoichi Okamoto, Kazuhiko Kato et al. 16th International Conference on Thermoelectrics, P236- 239.
  • 3Thermoelectric Properties of Sintered SiC/Si/Ag Thermoelectric Semiconductor, H Inai, Y Okamoto,et al. 17th International Conference on Thermoelectrics,P578 - 581.
  • 4Thermoelectric Properties of P-type Silicon Carbide, Chul-Hoom PAI, 17th International Conference on Thermoelectrics, P582-586.

二级参考文献2

  • 1Lu Z L,Influence Particle Size Sintering Parameters Resistivity Reaction Bonded Silicon Carbide,1998年
  • 2高积强,陶瓷工程,1997年,增刊,13页

共引文献3

同被引文献26

引证文献1

二级引证文献10

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