立方氮化硼薄膜生成机制及其应用

Mechanism of Deposition C-BN Thin Films and its Application

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摘要 In This paper, the mechanism of depositing C--BN,thin films and its application in the production, are emphatically introduced. In This paper, the mechanism of depositing C--BN,thin films and its application in the production, are emphatically introduced.

作者潘俊德范本惠郑维能李成明韩晋宏

机构地区太原工业大学渗金属研究所

出处《真空》 CAS 北大核心 1992年第1期1-7,共7页 Vacuum

关键词氮化硼薄膜应用生长半导体

分类号 TN304.16 [电子电信—物理电子学]

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1辛火平,林成鲁.立方氮化硼薄膜的异质外延[J].上海微电子技术和应用,1994(4):35-48.
2潘俊德,范本惠,李成明,郑维能,韩晋宏.立方氮化硼薄膜合成方法[J].真空,1991,28(6):1-10.
3廖克俊,王万录,高锦英.立方氮化硼薄膜的研制[J].半导体技术,1995,11(5):64-66.
4赵永年,王波,何志,陶艳春,邹广田.立方氮化硼薄膜内应力的电镜观察和红外光谱研究[J].人工晶体学报,1997,26(3):341-341. 被引量：2
5赵永年,何志,王波,陶艳春,邹广田.氮化硼薄膜沉积中的相变化研究[J].人工晶体学报,1997,26(3):343-343.
6陈光华.新型半导体薄膜材料的制备、结构和特性研究[J].兰州大学学报（自然科学版）,1999,35(3):22-26.
7邓金祥,汪旭洋,姚倩,周涛,张晓康.立方氮化硼薄膜的光学带隙[J].物理学报,2008,57(10):6631-6635. 被引量：3
8陈光华,朱秀红,邓金祥,刘钧锴,陈浩.高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展[J].物理,2004,33(11):823-825. 被引量：1
9范亚明,张兴旺,游经碧,应杰,谭海仁,陈诺夫.Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si（001）[J].Chinese Physics Letters,2009,26(5):187-190.
10金属与导电材料[J].电子科技文摘,2003,0(5):9-10.

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