摘要
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。
Firstly the novel VLSI fabrications, the breakdown of 0.1mm dimension limit and itsprogresses of several novel technologies are introduced in details, and the developments and pros-pects of FRAM, phase change RAM and MRAM are also summarized.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期1-5,14,共6页
Semiconductor Technology
基金
江苏省高校自然科学研究基金(02KJB510005)
