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Structure and Electrical Properties of Ge2Sb2Te5 Thin Film Used for Ovonic Unified Memory 被引量:3

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出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第4期741-743,共3页 中国物理快报(英文版)
  • 相关文献

参考文献24

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同被引文献15

引证文献3

二级引证文献14

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